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DRAM

半导体芯片

兆易创新：首款DRAM芯片最晚2025年量产

此前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元，用于

2019-12-30
存储器 DRAM
半导体芯片

三星华城厂区跳电影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务

根据外电的报导，韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故，影响了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。

2020-01-02
存储器 DRAM
市场报告

DRAM产业景气拨云见日

美中将签署第一阶段贸易协议，贸易摩擦不确定因素可望淡化，加上三星华城厂跳电，各方指标都有利DRAM景气向上，业者预期，DRAM报价也可望于本季提前上涨。

2020-01-02
存储器 DRAM
半导体芯片

兆易创新公布DRAM量产进程；三星华城厂突发跳电有何影响？

针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分。

2020-01-04
专题报导 DRAM
市场报告

DRAMeXchange刘家豪：IT基础架构转型现商机服务器内存市场崛起？

DRAMeXchange刘家豪：IT基础架构转型现商机服务器内存市场崛起？

2019-12-03
存储器 DRAM 服务器
市场报告

DRAMeXchange郭祚荣：预估内存价格明年Q2开始上涨

DRAMeXchange郭祚荣：预估内存价格明年Q2开始上涨

2019-11-29
存储器 DRAM
市场报告

DRAMeXchange叶茂盛：2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

DRAMeXchange叶茂盛：2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

2019-12-02
存储器 DRAM
市场报告

TrendForce：三星跳电事件激励买方预期性补货，1Q20 DRAM合约价起涨

TrendForce：三星跳电事件激励买方预期性补货，1Q20 DRAM合约价起涨

2020-01-08
市场观察 DRAM
半导体芯片

紫光日本公司CEO：DRAM内存将在5年内量产

紫光集团新任高级副总裁兼日本分公司CEO坂本幸雄在接受日本媒体采访时表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存。

2019-11-29
存储器 DRAM
半导体芯片

DRAM明年市况乐观南亚科华邦电看俏

DRAM价格经过长达一年的下跌后，已经带动个人电脑、服务器、智能手机的单机搭载容量大幅提升，与去年同期相较增加超过五成。

2019-11-26
存储器 DRAM

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