三星华城厂突发跳电
针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分。
三星电子位于韩国华城的工厂，在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况，使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电时间约1分钟，之后立即恢复供电，目前三星正在积极的进行产线检查，在了解受损程度之后，以便在最短时间内恢复生产。
对此，集邦咨询表示，三星华城厂区短暂停电事件因为停电时间小于3分钟，厂区的UPS不断电系统适时给予支援而避免大范围的冲击，但正常的工厂作业流程仍需停机检查，初步确认影响有限。
至于损失金额，集邦咨询称，在跳电时间较短的情况下，虽然影响缩小到可控制的范围内，但是，其真正的损失金额仍有待三星在进行完产线检查后进一步公布。
2020年Q1 NAND Flash价格持续上涨
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，数据中心客户积极准备2020年新开案需求，拉货动能优于预期；移动设备端也因准备苹果2020年上半年的新机上市，备货需求从第四季起涌现。总体而言，2020年第一季NAND Flash将呈现淡季不淡。
供给面，因为供应商自2019年第二季起已处于盈亏平衡，或甚而呈现亏损，不得不调降2020年的资本支出，产能扩张与3D层数提升的时程都较以往保守。
统计各厂规划，2020年位元产出增长仅略高于30%，是历年来规划目标的低点，加上2019年的供给位元已因跳电事件而下调，连续两年的产出增长都不到35%，是第一次出现的景象，也使得2020年全年供需更显紧张。
在合约价走势方面，集邦咨询认为，基于淡季需求表现不淡、供给增长保守以及供应商库存已下降，各类产品合约价在2020年第一季均可望持续上涨。
兆易创新公布DRAM量产进程表
日前，兆易创新在发布的非公开发行A股股票预案中表示，拟募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432402.36万元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。
随后，兆易创新发布《关于北京兆易创新科技股份有限公司非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复》，称兆易创新拟通过本项目，设计和开发系列DRAM芯片，项目各阶段的实施时间及整体进度安排如下：
Source：兆易创新公告
上述表格中，兆易创新计划在2020年定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证。2021年，兆易创新首款芯片客户验证完成后进行小批量产，测试成功后进行大批量产。2022年至2025年，兆易创新计划完成多系列产品陆续研发及量产。
积塔半导体项目首台光刻设备搬入
2019年12月28日，上海先进半导体制造有限公司（以下简称“上海先进半导体”）官方消息显示，积塔半导体特色工艺生产线首台光刻设备搬入仪式在上海自由贸易试验区临港新片区积塔半导体厂区举行，这标志着积塔半导体从建设期向生产运营期迈出重要一步，为2020年底实现批量生产打下了坚实基础。
塔半导体特色工艺生产线项目是上海市重大工程，总投资359亿元。项目位于上海临港装备产业区，占地面积23万平方米。2018年8月，积塔半导体特色工艺生产线项目正式开工；2019年5月，该项目芯片主体厂房实现结构封顶。根据官方信息，该项目将于2020年开始一阶段8英寸特色芯片工艺生产线投产，并于2023年开展二阶段12英寸特色芯片工艺生产线投产。
按规划，该项目目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片的12英寸特色工艺生产线，产品重点面向工业控制、汽车、电力、能源等领域。项目投产后，将有望显著提升国内功率器件、电源管理、传感器等领域的竞争力和规模化生产能力。
100亿元甬矽电子二期项目签约
2020年1月2日，甬矽电子（宁波）股份有限公司与中意宁波生态园管委会、中意宁波生态园控股集团有限公司举行签约仪式，意味着甬矽电子微电子高端集成电路IC封装测试二期项目正式签约落户。
据中意宁波生态园称，甬矽电子微电子高端集成电路IC封装测试二期项目总投资100亿元，占地500亩，主要用于高端IC封装测试研发、生产及销售。
资料显示，甬矽电子是一家半导体封装测试企业，于2017年11月13日注册成立，项目占地总面积约126亩，并于同年12月进行了一期高端IC封测项目的开工，2018年6月1日，甬矽电子首批封测项目成功下线。根据调查，甬矽电子2019年全年累计出货量达10亿颗。
甬矽电子总经理王顺波曾表示，甬矽电子计划五年内为“年产25亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目”投资22亿元，将来，甬矽将聚焦芯片封测领域，加强与上下游企业的合作。
