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湖北：加快突破超高层三维闪存工艺、Chiplet等关键技术

电子芯片网消息，中国光谷公众号消息，近日湖北省政府发布关于印发加快世界光谷建设行动计划的通知（以下简称通知）。通知提出要紧跟全球光电子产业发展趋势，充分发挥东湖高

2023-10-25
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传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存

电子芯片网消息，近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时

2023-10-25
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半导体芯片

三星明年将推300层以上V-NAND

电子芯片网消息，存储器大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这将是业界最高层数。三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Le

2023-10-25
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