电子芯片网消息，近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。

据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

而DRAM先进制程工艺10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光于去年10月量产1β DRAM，计划于2025年量产1γ DRAM；三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段。

据披露，三星正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。李政培表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料。

李政培透露称，在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料非常重要。

此外，三星将于10月20日在美国硅谷举办三星存储技术日2023的活动，其中，还将推出一些新的存储器芯片和产品。