性能上,YR S900采用4通道PCIe 5.0接口,支持NVMe 2.0,采用多核CPU并行的命令处理方式,充分发挥PCIe 5.0的带宽优势。其顺序读取速度高达14GB/s,顺序写入速度高达12GB/s,4K随机读速度可达3.5M IOPs,4K随机写速度可达2.5M IOPs。
YR S900是一款面向未来数据中心的国产SSD主控芯片,并支持市场主流NAND,可配置16或者18通道,高度适配长江存储颗粒。采用开源的RISC-V架构,保证IP安全。
据了解,RISC-V是开源架构,可以保证芯片从设计、生产、制造全过程的安全和可持续,实现真正的IP安全、自主可控。