电子芯片网消息，据外媒消息，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。

报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。

此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。