报道称，三菱电机计划于2025财年开始量产300mm 功率硅晶圆生产线。目标是到2026财年将其硅功率半导体晶圆的加工能力提升至2021财年的一倍。
目前三菱电机最新的IGBT已经进入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散热，以减少热阻,其损耗也比传统的RC-IGBT降低了50%左右。今年3月，三菱电机宣布，将在截至2026年3月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅功率半导体的生产。
具体而言，三菱电机计划在2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外，还计划对碳化硅6英寸晶圆工厂（位于日本熊本县合志市）进行扩产，到2026年，碳化硅产能预计会扩大至现在的5倍左右。三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史透露，预计到2030年，三菱电机SiC功率模块营收占比将会提升到30%以上。
在新的领域，三菱电机也在加速布局。今年7月底，三菱电机宣布其已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体，为实现低碳社会做出贡献。
Novel Crystal Technology是世界上最早开发、制造和销售功率半导体用氧化镓晶圆的公司之一，拥有三菱电机制造氧化镓功率半导体产品所需的晶圆制造技术，是氧化镓晶圆领域的领军企业。
