发布会上，氮化镓半导体产业奠基人之一的酒井士郎教授（誉鸿锦半导体总工）与观众分享氮化镓（GaN）半导体技术的历史沿革、现状发展和未来机会。誉鸿锦提出“第三代化合物半导体凭借其显著的性能特点，展示出在新能源汽车、5G通信、可再生能源等领域具有广泛的需求前景，且其器件生产工艺和技术也日趋成熟，但目前的市场普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有数量级差距”的行业现实问题。
在“如何实现更快、更大规模的氮化镓应用推广”这个关乎产业效率的问题上，誉鸿锦半导体通过回归产业价值的本质，提出”产业价值=能效提升-替换成本>0“的解题思路，认为高性能是推动应用创新的动力，而低成本则是推动应用普及的基础。目前行业现状是，全球诸多厂商都在积极推进氮化镓技术应用的普及，其中海外厂商更多的策略重心是高性能器件的应用，国内厂商则更多是通过常规器件的低成本来推广氮化镓应用。
从材料成本来说氮化镓（GaN）器件并不会比硅基器件昂贵。誉鸿锦认为氮化镓渗透率依然低的原因，并不是很多人所认为的氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。因为规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上，只有把系统效率提升，才能用更低的成本推动器件的大规模应用。只有从第一性原理出发，搞清楚氮化物半导体的材料原理才能实现正向的研发和工艺，也就是我们俗说的KNOW HOW，这样才能把器件研发效率提升，同时还需要掌握设备的优化能力来配合器件的制造需求，把良率提升，生产效率提升，也减少后期分选封测的工作量，再通过对工艺制程的理解来实现核心设备的国产替代和自研，进一步降低产线的成本，并最终通过全流程IDM集成的方式减少过程中的时间成本和经济成本的损耗。最终实现匹敌于硅器件的产业链效率和成本。
为此誉鸿锦半导体在创立之初，就组建产业奠基人级的技术团队，其首席科学家邵春林博士为现场观众分享自己作为中国最早开展氮化镓技术研发和产业化的历史，参与开发了最早的MOCVD设备，以及参与主导了誉鸿锦半导体的规划与建设和技术创新。并展示了誉鸿锦目前实现的极低外延翘曲控制、均匀性的GaN层厚度以及精准可控的载流子调控等自主关键技术能力。并具备在氮化镓、硅、碳化硅和蓝宝石衬底上外延生长氮化镓材料的技术矩阵，和功率电子、激光与显示、射频全产品能力。体现了誉鸿锦强大的基于KNOW HOW的正向研发能力，可以根据目标需求，自由选择甚至开拓新的技术路线，并实现快速制样和验证，直至导入量产。
凭借85%平均量产良率获得高一致性器件，高集成度IDM-7天制造周期、高研发效率使时间缩短2/3，自研设备和设备国产化使成本降低2/3，终端应用产业群集成，誉鸿锦实现了“产业效率革命=高良率x IDM整合x高研发效率x设备降本x快速应用验证”。 现场播放的工厂全线实拍视频，展示了誉鸿锦在行业里数量最多、工序最为齐全的设备产线，并第一次提出了包括设备&材料端、自主全流程IDM、销售与技术服务体系群以及终端产品应用生态链的Super IDM产业集群概念，即“Super IDM产业集群 = 上游设备材料+IDM+终端技术应用+零售服务生态链”。 基于该产业集群的深度耦合，实现上游设备自主可控、成本下降，IDM环节极致效率，应用终端快速导入和批量验证，实现推动氮化镓产业快速普及的产业目标。
在产品发布环节，誉鸿锦发布了从100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能应用于多种电力电子领域。其中包括行业首个氮化镓SBD器件，以及900V蓝宝石基氮化镓晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。凭借更好的器件良率和一致性，以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖，兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及，以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个人的生活”的产业理想。该环节也一并发布了业务和代理招商合作意向。
在现场签约环节，誉鸿锦半导体分享了其更多的产业理想——树立高效率产业化标杆，为中国半导体产业引入和培养更多行业人才，加快推进技术产业化。现场与行业top的应用型大学“东莞理工”国际微电子学院就共建人才培养和产业共创平台项目签署了战略合作协议。同时也同“大族激光”旗下的“大族机器人”签署了氮化镓电机研发与应用的产业合作战略协议。
最后，誉鸿锦团队就记者所关心的各类问题接受了采访和解答。并和意向的招商团队、投资机构和上下游合作开展了互动。后续誉鸿锦将启动媒体开放日活动，邀请前往抚州工厂，参观和了解国内良率最高、效率最高的IDM产线。封面图片来源：誉鸿锦
