性能上，美光1β DDR5 DRAM提供速率从4800MT/s到7200MT/s的现有模块密度，并采用先进的High-KCMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。
美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能（AI）训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。
此外，美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。
DRAM先进制程进展如何？
随着多核CPU数量的增加，满足下一代带宽要求的压力变得更大，因此需要更高的内存技术。目前，DRAM先进制程技术已发展至第五代，10nm级别，美光称之为1β DRAM，三星等厂商称之为1b DRAM。
去年，美光正式量产1β DRAM，相较上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低约15%，位元密度提升超过35%，每颗晶粒容量可达16Gb。
1β是目前全球最先进的DRAM制程节点，随着1β量产出货，美光已经开始布局下一代技术研发。据悉，美光计划于2025年量产1γ DRAM，该制程将会先在台中有EUV的制造工厂量产。
三星方面，今年5月，三星量产12nm级16Gb DDR5 DRAM；9月，三星开发出基于12nm级工艺技术的32Gb DDR5 DRAM，将于今年年底开始量产。
三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。三星透露，将于2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。
据披露，三星正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。李政培表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料。
SK海力士方面，今年1月，SK海力士将第四代10nm级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证。
5月，SK海力士第5代10nm工艺1bnm已完成技术研发，采用“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。并计划，明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。
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