台积电、英特尔和三星为打造体积更小、效能更强的处理器，纷纷导入极紫外光（EUV）技术，相关设备所费不赀，3家厂商资本支出直线攀升，ASML等设备厂则成为受益者。
华尔街日报报导，晶圆代工厂商以最新制程挑战物理极限，需要EUV微影技术当帮手。与常用光源相比，采用EUV的系统能让芯片电路更加微缩，但先进晶圆厂建造成本也跟着水涨船高，台积电两年前宣布的新厂建造费用达200亿美元。
关键在于EUV光刻器具价格高昂。ASML公布，第3季光售出7套EUV系统就进帐7.43亿欧元，等于每套系统要价超过1亿欧元。这还不含半导体制程控管与测试设备成本。
台积电深耕晶圆代工先进制程，10月表示强效版7纳米制程导入EUV技术，今年第2季开始量产，良率已相当接近7纳米制程；6纳米制程预计明年第1季试产，并于明年底前进入量产。
与此同时，晶圆代工龙头厂商资本支出大增成为趋势。
台积电10月宣布今年资本支出达140亿至150亿美元，高于原先设定目标近40%。英特尔（Intel）随后宣布加码3%，今年资本支出目标达160亿美元，创公司成立以来新高，比两年前高出36%。三星（Samsung）上周宣布，今年半导体事业资本支出约200亿美元。
三星公布的金额略少于去年，但业界分析师预期，三星今年大幅减少投资存储器生产，以便将更多资源投入次世代晶圆代工厂。
在EUV技术带动下，半导体设备厂获益良多。ASML第3季接获23套EUV系统订单，创单季订单金额新高；半导体制程控管设备制造商科磊（KLA-Tencor）上周公布，会计年度第1季营收年增率达29%，并表示EUV投资是业绩成长主要动能。
今年以来，ASML与科磊股价涨幅分别达76%、94%。报导称，明年EUV需求预料更加旺盛，半导体设备厂前景一片光明。
