台积电宣布，其领先业界导入极紫外光（EUV）微影技术的7纳米强效版(N7+)制程已协助客户产品大量进入市场。导入EUV微影技术的N7+奠基于台积电成功的7纳米制程之上，也为明年首季试产6纳米和更先进制程奠定良好基础。
台积电N7+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一，于2019年第二季开始量产，在7纳米制程技术（N7）量产超过一年时间的情况下，N7+良率与N7已相当接近。N7+同时提供了整体效能的提升，N7+的逻辑密度比N7提高15%至20%，同时降低功耗，使其成为业界下一波产品中更受欢迎的制程选择。台积电亦快速布建产能以满足多个客户对于N7+的需求。
台积电表示，N7+的成功经验是将来先进制程技术的基石。台积电的6纳米制程技术（N6）将于2020年第一季进入试产，并于年底前进入量产。因为EUV微影技术的进一步应用，N6的逻辑密度将比N7提高18%，而N6凭藉着与N7完全相容的设计法则，亦可大幅缩短客户产品上市的时间。
另外，EUV微影技术使台积公司能够持续推动芯片微缩。台积公司的EUV设备已达成熟生产的实力，EUV设备机台亦达大量生产的目标。
台积电业务开发副总经理张晓强表示，AI和5G的应用为芯片设计开启了更多的可能，使其得以许多新的方式改善人类生活，台积的客户充满了创新及领先的设计理念，需要台积公司的技术和制造能力使其实现；在EUV微影技术上的成功，是台积公司不仅能够具体落实客户的领先设计，亦能使其大量生产的另一个绝佳证明。
