“做科学家，必须把自己的研究与国家的战略需要联系起来，布大局，做大事。”王曦在接受媒体采访时曾这样说。

据《南方日报》，2020年8月4日上午，广东省十三届人大常委会第二十三次会议经表决通过，决定任命王曦为广东省人民政府副省长。

科技部官方网站显示，王曦现任科技部副部长、党组成员。中共党员。中共第十九届中央候补委员。中国科学院上海冶金研究所毕业，研究生学历，工学博士学位，中国科学院院士，研究员。

据其个人简历，王曦于1966年8月出生，上海人，1987年毕业于清华大学，1990年和1993年在中国科学院上海冶金研究所获得材料物理硕士和博士学位，研究员，博士生导师，2009年当选为中国科学院院士。

2001年7月至2019年4月，王曦在中国科学院上海微系统与信息技术研究所（简称：上海微系统所）工作。1994年至2004年历任上海微系统所副研究员、室副主任、研究员、室主任、所长助理。2004年4月起任上海微系统所党委副书记兼副所长。2010年7月起任上海微系统所所长。

2019年4月王曦任科技部党组成员兼中国科学技术协会副主席。2019年5月任科技部副部长、党组成员兼中国科学技术协会副主席。

根据调查，作为中国著名半导体材料学家，王曦带领团队制备出了国际最先进水平的SOI晶圆片，解决了中国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题，还孵化出中国唯一的SOI产业化基地，实现了微电子材料的跨越式发展。

绝缘体上硅（SOI）技术被国际上公认为"二十一世纪的硅集成电路技术"，在低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿。

自参加工作以来，王曦一直致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究，并将其应用于高端集成电路衬底材料SOI的开发，主持完成了包含国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目。

他将研究成果应用于先进电子材料的人工合成，取得了一系列重要创新性研究成果。尤其是在新一代硅基先进电子材料SOI领域，王曦领衔的研究团队在国内处于最领先地位，他创办的上海新傲科技股份有限公司成为继美国、日本和法国后全球第四个最重要的SOI材料研发中心。

2006年王曦主持的“高端硅基SOI材料研究和产业化”项目获得国家科技进步一等奖，项目研究团队获得2007年中国科学院科技成就奖，2008年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。2008年，王曦团队制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。

在担任中科院上海微系统所所长期间，王曦还在上海牵头推进了12英寸集成电路硅片项目。2013年6月，王曦和中芯国际创始人张汝京博士共同建言，在上海启动12英寸大硅片的研发。为填补这一产业空白，上海微系统所的协同创新单元—上海新昇半导体科技有限公司于2014年6月成立。2016年，上海新昇拉出国内第一根12英寸高质量晶棒。