半导体联盟消息，2020年8月4日，澜起科技发布了投资者调研报告，就公司目前在研项目、研发进度及预计量产时间、DDR5相关配套芯片等方面的问题进行了回复。
关于公司目前在研项目方面，澜起科技称，公司目前在研项目主要有三大类：1、接口类芯片。包含DDR5内存接口芯片及与其配套芯片（串行检测芯片（SPD）、温度传感器(TS) 、电源管理芯片(PMIC)）；PCIe 4.0 Retimer芯片。2、津逮®服务器CPU以及混合安全内存模组。3、人工智能芯片。
根据调查，澜起科技已于2019年完成符合JEDEC标准的DDR5第一代RCD及DB芯片工程样片的流片，这些工程样片于2019年下半年送样给公司主要客户和合作伙伴进行测试评估，公司计划在2020年完成DDR5第一代内存接口及其配套芯片量产版本芯片的研发，实际量产时间取决于服务器生态的成熟度。
至于量产时间，澜起科技称，根据行业普遍预测，DDR5第一代预计量产时间为2021年底到2022年上半年。
另外，澜起科技还在2019年完成了PCIe 4.0 Retimer 芯片的工程样片的流片，性能指标和功能基本符合预期。公司目标是根据客户及合作伙伴测试、认证的反馈情况，计划在2020年完成PCIe 4.0 Retimer量产版本芯片的研发。
关于公司DDR5相关配套芯片的作用及研发进度方面，澜起科技则称，2019年公司与合作伙伴已完成符合JEDEC标准的DDR5服务器内存模组配套芯片工程样片的流片，并送样给内存模组厂商评估。DDR5内存模组的配套芯片，将与DDR5内存接口芯片、DDR5内存颗粒一起组成DDR5内存模组整体解决方案。
据披露，澜起科技目前合作的晶圆代工厂商主要是台积电和富士通电子，合作的封装测试厂商主要是星科金朋和矽品科技。
资料显示，澜起科技是国内知名的集成电路设计公司之一，致力于为云计算和人工智能领域提供高性能芯片解决方案，在内存接口芯片市场深耕十余年，先后发布了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5系列高速、大容量内存缓冲解决方案，以满足云计算数据中心对数据速率和容量日益增长的需求。
另外，自2016年以来，澜起科技与清华大学、英特尔鼎力合作，研发出津逮®系列CPU。
对于公司未来发展战略，澜起科技称，公司未来三年的发展目标是通过持续不断的研发创新，提升公司在细分行业的市场地位和影响力，同时开拓新的业务增长点。
其中，在接口类芯片领域，一方面公司将继续巩固内存接口芯片业务的市场领先地位，完成第一代DDR5内存接口芯片和相关配套芯片的研发和产业化；另外，公司将积极研发PCIe相关芯片，并实现产业化。
2、在数据中心业务领域，持续升级津逮®服务器CPU及其平台，为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、混合安全内存模组等产品，持续提升市场份额。
3、在人工智能芯片领域，公司将聚焦客户需求，挖掘潜在商机，研发有竞争力的芯片解决方案，为公司的可持续发展提供新的业务增长点。
