存储器封测厂力成总经理洪嘉鍮预估，第1季业绩可望较去年同期成长，有机会创同期新高，上半年模组表现正向看待，今年半导体市况可稳健成长。
观察去年第4季营运表现，力成昨天下午在法人说明会上表示，去年第4季NAND型快闪存储器产出增加、加上固态硬盘需求大增，带动去年第4季封测营收冲高，其中封装稼动率提高到90%到95%。
展望今年营运表现，洪嘉鍮表示，今年市况可稳健成长，其中智能手机过渡到5G阶段，需求看增，企业用电脑笔电更换需求增温；游戏机、电视和机顶盒需求看佳；云端和企业用资料中心需求成长；此外5G应用持续加温。
在动态随机存取存储器（DRAM）、快闪存储器和逻辑芯片部分，力成表示，相关应用需求可望带动存储器需求，DRAM价格持稳。
在力成本身封测部分，洪嘉鍮称，标准型DRAM封测量持稳，产能持续满载，移动DRAM、利基型DRAM以及特殊型DRAM封测需求高于往年季节性表现，服务器存储器需求可望逐季成长。
在快闪存储器部分，洪嘉鍮表示，智能手机应用需求可能季节性调整，资料中心需求持稳，固态硬盘渗透率持续增加。
在系统级封装和模组部分，洪嘉鍮表示，相关需求看佳，产品组合改善。在逻辑芯片封测部分，公司表示，传统型封装需求正向看待，持续开发先进封装技术，目前模组厂稼动率接近满载。
展望今年半导体市况，洪嘉鍮预期，今年全球半导体市场可望年成长5%到6%区间。
他并预期，今年第1季和第2季系统级封装和模组表现看佳，第1季市况需求看佳，业绩可望较去年同期成长，有机会创同期新高。
展望今年资本支出，力成表示，去年资本支出规模约新台币110亿元左右，预估今年资本支出可超过百亿元。
法人预期，力成新产能将于第1季投产，布局3D NAND型快闪存储器封测，新产能可望在第1季贡献业绩。
另外服务器DRAM订单能见度可看到第1季底，预期第1季业绩可望较去年同期成长16%到17%，今年上半年力成在存储器封测表现可正向看待。
封面图片来源：力成官网
