存储器厂旺宏董事会昨(23)日通过明年资本支出预算，预计投资新台币87亿元，将于明年第1季起陆续投资，用于3D NAND研发等相关需求。
旺宏明年资本支出规划投入新台币87亿元，资金来源为自有资金与银行融资，将用于投入3D NAND研发的机器设备与厂务系统扩充。
展望明年，旺宏董事长吴敏求认为，明年NAND Flash与NOR Flash都会供不应求，NAND Flash方面，许多2D转至3D，将使2D供给减少，进而造成供不应求，包含SLC NAND Flash与eMMC；而3D NAND Flash许多将应用在智能手机领域，若手机需求佳，3D NAND市况也会跟着好。
3D NAND进度方面，旺宏预计明年下半年量产48层3D NAND Flash，届时游戏机大客户也可望采用，并于2021年量产96层3D NAND、2022年量产192层3D NAND。
